lumentum apd 芯片是一種基于磷化銦 (inp) 的器件，設(shè)計用于高達 11.3 gbps 的高性能電信接收器應(yīng)用。 通過提供 30 μm 孔徑的環(huán)形觸點，通過中央有源區(qū)的頂部照明接收光信號。p（陽極）和 n（陰極）觸點在有源區(qū)上施加反向電偏壓。 圓形 p 鍵合焊盤的直徑為 70 下面文章將為您具體講解下《優(yōu)勢供應(yīng)lumentum芯片pa009211》等內(nèi)容，還請感興趣的繼續(xù)閱讀了解一下，謝謝!
lumentum apd 芯片是一種基于磷化銦 (inp) 的器件，設(shè)計用于高達 11.3 gbps 的高性能電信接收器應(yīng)用。 通過提供 30 μm 孔徑的環(huán)形觸點，通過中央有源區(qū)的頂部照明接收光信號。
p（陽極）和 n（陰極）觸點在有源區(qū)上施加反向電偏壓。 圓形 p 鍵合焊盤的直徑為 70 微米，適用于引線鍵合。
apd 適用于以 m3 和 m10 之間的倍增增益因子以高達 11.3 gbps 的速度運行。
性能通過包括 dc、cv 和 ac 測試測量的晶圓測試來檢查。
<1fit 的可靠性源自超過 400 億個現(xiàn)場小時。
telcordia esd 等級：min. 500 v型號。
性能特點
400 x 400 x 80 微米尺寸頂部照明 30 μm 孔徑高帶寬響應(yīng)能力好2 pf 電容頂部引線焊盤針對環(huán)氧樹脂附著進行了優(yōu)化-40 至 +85°c 操作高達3 gbps 的性能非常高的可靠性大批量生產(chǎn)強大的 esd 性能
技術(shù)參數(shù)
擊穿電壓（在黑暗中，id=10 µa）vbr：-26…-32 v
暗電流（在黑暗中，vbr * 0.9） id9：50 毫安
3db 帶寬，m=10（10 µw 入射 1550 nm，i=100 µa）bwm10 ：6.0 ghz
3db 帶寬，m=3（10 µw 入射 1550 nm，i=30 µa）bwm3：6.0 ghz
響應(yīng)度 （10 µw，1550 nm）r：1.0 a/w
在固定電壓下（（vm3 和 vm10，popt = 10µw，λ=1550 nm）1610 nm 時的電流比
）r1610/r1550：0.75
1300 nm 與 1550 nm 的響應(yīng)率比（在固定電壓下（vm3 和 vm10，popt =10 µw, λ=1550 nm) 時的電流比）r1300/r1550：0.70
vbr 溫度系數(shù)（-40 至 +85°c）dvbr/dt：0.040 …0.061 vdeg-1
總電容（at vbr * 0.9）c：0.22…0.25 pf
光過載（m3）povld：-2 dbm
產(chǎn)品應(yīng)用
長途網(wǎng)絡(luò)
單模數(shù)據(jù)通信和電信
10g pon
產(chǎn)品參數(shù)
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